Zespół Technologii laserowych
Obszar działalności naukowej:
Zespół technologii laserowych prowadzi działalność naukową związaną z projektowaniem, wytwarzaniem i charakteryzacją nowoczesnych struktur i przyrządów półprzewodnikowych. Jego członkowie dysponują zaawansowanym zapleczem aparaturowym skupionym w zaawansowanym laboratorium mikroelektroniki ulokowanym w pomieszczeniu typu cleanroom (200 m2), w którym w warunkach podwyższonej czystości można realizować najważniejsze procesy technologii krzemowej i technologii materiałów szerokopasmowych (SiC, GaN). Dysponuje on także laboratorium struktur hybrydowych i packagingu, odpowiednią aparaturą pomiarową (np. mikroskop SEM) oraz stanowiskiem do obróbki laserowej materiałów.
Obszar zainteresowań naukowych zespołu obejmuje m.in. opracowanie technologii wytwarzania krzemowych struktur power MOSFET, zastosowanie procesów wysokotemperaturowych w technologii węglika krzemu, realizację submikronowych procesów fotolitografii, wytwarzanie cienkich warstw metodą osadzania próżniowego, zastosowanie technik laserowych do obróbki materiałów półprzewodnikowych oraz modyfikację właściwości interfejsu metal-półprzewodnik, a także diagnostykę i analizę właściwości funkcjonalnych materiałów i struktur mikroelektronicznych.
Członkowie zespołu posiadają bogate doświadczenie w realizacji projektów badawczych finansowanych ze środków publicznych oraz we współpracy z przemysłem.
Zespół:
dr inż. Andrzej Kubiak – lider grupy badawczej
dr inż. Janusz Woźny
Allesandro Verdolotti
dr hab. inż. Ewa Raj
dr inż. Natallia Bokla
dr inż. Tamara Klymkovych