Politechnika Łódzka

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych
                          i Optoelektronicznych

Zmiana barwy podłoża krzemowego wywołane cienką warstwą tlenku krzemu

Opis projektu:

W nowoczesnych przyrządach półprzewodnikowych istotną rolę odgrywają cienkie warstwy dielektryczne wykonywane z tlenku krzemu (SiO2), przy czym w zależności od pełnionych przez nie funkcji (tlenki izolujące, pasywujące, maskujące) niezbędne jest wytwarzanie warstw SiO2 o ściśle określonej grubości. Do dokładnego pomiaru grubości warstw dielektrycznych konieczne jest zastosowanie zaawansowanych technik pomiarowych takich jak elipsometria lub mikroskopia sił atomowych. Możliwe jest również szybkie oszacowanie grubości warstwy SiO2 w oparciu o obserwację jego barwy, ponieważ w wyniku interferencji promieniowania odbitego od powierzchni powietrze - SiO2 oraz powierzchni SiO2 - Si zachodzi wzmocnienie światła o wybranej długości fali.
Celem niniejszego zadania jest przygotowanie demonstratora barw podłoży krzemowych pokrytych warstwą tlenku krzemu o wybranych grubościach.

Zakres pracy:
  • poznanie techniki otrzymywania tlenku krzemu na podłożach krzemowych oraz pomiaru grubości warstw dielektrycznych za pomocą elipsometru
  • dobór właściwych parametrów procesu utleniania (czas, temperatura, skład atmosfery)
  • wykonanie warstw tlenkowych o założonej grubości od 50nm do 300nm na 10 podłożach krzemowych
  • pomiar grubości wytworzonego tlenku krzemu za pomocą elipsometru
  • wykonanie tablicy prezentującej zależność barwy tlenku krzemu od jego grubości na bazie wykonanych struktur
Liczba wykonawcow projektu: 3/2
Opiekun projektu:
   dr inż. Łukasz Ruta
Wykonawcy projektu:
Robert Matejek
Michał Szychowski

powrót

copyright (c) 2009