Politechnika Łódzka

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych
                          i Optoelektronicznych

Projekt zrealizowany

tytuł:Wysokotemperaturowe procesy domieszkowania dyfuzyjnego w SiC
kierownik:dr inż. Andrzej Kubiak
rodzaj:własny
realizacja:2006 - 2008
opis:Celem projektu było podjęcie kompleksowych badań dotyczących procesów wysokotemperaturowych w węgliku krzemu (SiC). Badania te dotyczyły głównie warstwy przypowierzchniowej SiC, a w szczególności zachodzących w niej zmian podczas procesów wysokotemperaturowych wywołanych zjawiskami sublimacji i resublimacji. W efekcie opracowano technologię wysokotemperaturowego procesu wygrzewania węglika krzemu w atmosferze ochronnej przeciwdziałającej zjawisku powodującemu degradację powierzchni struktur półprzewodnikowych oraz pozwalającym na wykonanie diody na bazie SiC metodą termicznej dyfuzji domieszek. Prace eksperymentalne zostały wsparte symulacjami komputerowymi wykonanymi z użyciem specjalizowanego oprogramowania.

powrót

copyright (c) 2009