Politechnika Łódzka

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych
                          i Optoelektronicznych

Projekt zrealizowany

tytuł:Opracowanie technologii wytwarzania diody p-i-n w podłożu SiC - Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowanie w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur
kierownik:prof. dr hab. Zbigniew Lisik
komentarz:Projekt realizowany w ramach projektu zamawianego "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowanie w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur"
rodzaj:zamawiany
realizacja:2007 - 2010
opis:Podstawową trudnością stojącą na przeszkodzie praktycznego wykorzystania węglika krzemu w elektronice są odmienne w porównaniu z krzemem i często ekstremalne wymagania dotyczące procesów technologicznych związanych z tym materiałem. Powoduje to, iż procesy technologiczne i metody charakteryzacji, dobrze poznane i opanowane dla krzemu, okazują się nieodpowiednie lub niedostosowane do nowych potrzeb w przypadku SiC. Projekt Zamawiany "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowanie w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur", realizowany przez wiodące krajowe ośrodki naukowo-badawcze, ma stworzyć warunki dla rozwiązania wielu z tych problemów tak, aby możliwe stało się podjęcie działań zmierzających do wprowadzenia węglika krzemu do polskiego przemysłu elektronicznego. Zgodnie z przyjętą filozofią projektu, obejmuje on podjęcie powiązanych ze sobą badań w szerokim zakresie, począwszy od wytworzenia monokryształów węglika krzemu, poprzez ich charakteryzację i procesy technologiczne wymagane dla realizacji przyrządów, na badaniach użytkowych układów z elementami SiC kończąc.
W Politechnice Łódzkiej realizowane są projekty z zakresu technologii węglika krzemu, obejmujące selektywną implantację jonową w wykorzystaniem jonów donorowych i akceptorowych, badania dotyczące opracowania efektywnego procesu aktywowania implantowanych domieszek na drodze wygrzewania w bardzo wysokich temperaturach oraz opracowania efektywnej technologii domieszkowania dyfuzyjnego akceptorowego i donorowego. Ostatecznym efektem realizacji prac związanych z opracowaniem technologii wytwarzania diod p-i-n w podłożu SiC będą testowe egzemplarze tych diod spełniające przyjęte założenia.
www: http://sic.dsod.pl

powrót

copyright (c) 2009