Politechnika Łódzka

Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych
                          i Optoelektronicznych

Projekt realizowany

tytuł:GECCO: 3D struktury GaN dla wysokowydajnych półprzewodnikowych źródeł światła
kierownik:prof. dr hab. Zbigniew Lisik
komentarz:koordynator WP
rodzaj:7 Program Ramowy
realizacja:2012 - 2015
opis:Oczekuje się, że półprzewodnikowe źródła światła, obecnie bazujące na azotku galu (GaN), zastąpią nieefektywne i nieprzyjazne środowisku konwencjonalne źródła światła, przyczyniając się istotnie do oszczędności energii. Aby to osiągnąć, konieczny jest rozwój białych diod elektroluminescencyjnych (LED) o większej efektywności i mniejszych kosztach na lumen emitowanego promieniowania. W projekcie, zaproponowano i poddano badaniom nowa koncepcja struktur 3D. Nowe rozwiązanie pozwoli wprowadzić rozwój półprzewodnikowych źródeł światła na całkowicie nowy poziom uzyskiwanej efektywności, w porównaniu do struktur LED wykonywanych w konwencjonalnej technologii 2D, bazującej na planarnej technologii cienkowarstwowej.
Zespół z Politechniki Łódzkiej uczestniczy głównie w pracach związanych z modelowaniem nowej koncepcji struktur diodowych na różnych etapach jej ewaluacji. Więcej informacji na stronie projektu GECCO.

powrót

copyright (c) 2009